Imec demonstreert 90 procent opbrengst met High NA EUV-machines van ASML

Imec demonstreert 90 procent opbrengst met High NA EUV-machines van ASML

In tests toont Imec de eerste goede resultaten met de High NA EUV-machines van ASML. Die machines moeten in de toekomst chipproductie op nodes onder de 2 nm mogelijk maken.

Imec toont tijdens tests hoge opbrengsten voor metaalstructuren, gebouwd met de nieuwste High NA EUV-machines van ASML. Die lithografiemachines moeten in de toekomst de fabricage van chips mogelijk maken op nodes onder 2 nm. Voor het zover is, werkt Imec samen met partners uit de sector om de machines te leren gebruiken.

Concreet deelt Imec het succes van de eerste elektrische tests, uitgevoerd op metaalstructuren met een pitch van 20 nanometer en geproduceerd met een enkele belichting via High NA extreme ultraviolet (EUV)-lithografie. De resultaten bevestigen de haalbaarheid van deze technologie voor toekomstige chipproductie. Ze komen er na een eerdere succesvolle test van de machines met focus op DRAM-structuren.

Bevestiging van mogelijkheden

De tests werden uitgevoerd op zogenaamde serpentine- en fork-fork-structuren en tonen een elektrisch van meer dan 90 procent. Dat wijst op een lage aanwezigheid van defecten, wat essentieel is voor betrouwbare halfgeleiderproductie. De metingen vormen een belangrijke stap in de validatie van High NA EUV-lithografie en de bijbehorende processen.

In augustus 2024 demonstreerde Imec al de productie van logische en DRAM-structuren met een enkele belichting via High NA EUV. De nieuwe testresultaten bevestigen dat het proces ook geschikt is voor gemetalliseerde structuren op deze schaal. Imec gebruikte hiervoor een negatieve toonresist op basis van metaaloxide (MOR).

Samenwerking in de sector

De ontwikkeling van High NA EUV-lithografie gebeurt in samenwerking met diverse partners, waaronder chipfabrikanten, materiaal- en maskerleveranciers en specialisten in meetapparatuur. Volgens Imec bieden de nieuwe tests belangrijke inzichten in het verminderen van defecten en het verbeteren van het productieproces.

Door deze resultaten te combineren met elektronenmicroscopische inspectie en geleidbaarheidsmetingen, kunnen defectmechanismen zoals breuken en bruggen beter worden geanalyseerd. Dit helpt bij de verdere optimalisatie van resists en andere procesparameters. Imec blijft werken aan verbeteringen in samenwerking met zijn industriële partners om High NA EUV geschikt te maken voor massaproductie van chips onder de 2 nanometer.